原子层沉积系统含臭氧发生器参数介绍

原子层沉积 （ Atomic layer deposition, ALD ）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上 并反应 形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子 膜形式 逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的“纳米”技术，以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于 ALD 利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。

序号	参数
一．使用环境要求：	1．温度：室温 2．相对湿度：小于60% 3．电源：50-60Hz, 220V /15A
二．设备组成：	1．更大直径6英寸（150毫米）基片尺寸的原子层沉积系统，包括6路前驱体源输运系统 2．电控系统：PLC沉积自动控制系统             3．操作软件：沉积程序控制软件                   4．真空机械泵与相关管路
三．技术参数：	1．反应腔 316L不锈钢。可以生长更大6 英寸样品的腔体，氮气保护的双O-Ring 高温密封系统，有效隔绝其他气体渗漏。基底加热温度RT-400℃可控，控制精度±1℃。腔体烘烤温度RT-200℃可控，控制精度±1℃。 反应腔内具有可拆卸更换挡版以方便维护。 反应腔采用专业级喷淋淋浴式前驱体匀气装置设计，可是前驱体充分、均匀的扩散，保证工艺的均匀性。 反应腔体及真空腔体的密封盖的上方是ICP等离子体发生腔，投标货物中腔体采用侧面进样，且接口为标准法兰，可直接配备插板阀以及手套箱。
	2．沉积模式 包括以下3种工作模式：高速沉积的连续模式，沉积超高宽深比结构的停流模式，实现氧化物精确比例掺杂沉积的专业沉积模式。
	3．前驱体源输运系统 共6路前驱体源，1路为常温源，可接水和臭氧/氨气/H2S等气体；5路为加热源，加热温度RT-200℃可控，控制精度±1℃。加热源配备耐高温(325°C)手动阀，以及前驱体源瓶体积50cc。
	4．  前驱体管路 所有前驱体管路须全部采用进口316L不锈钢EP级管路，所有管路加热温度RT-200℃可控。管路腔体清洗维护简便，设备具有"自动清洗"的功能,用户在沉积前与沉积完成后运行""自动清洗"程序, 清洗管路, 保护ALD阀门。可在操作界面上设置自动清洗次数。
	5. ALD阀 每一路前驱体配置一个原子层沉积专用高速高温ALD阀(Swagelok进口)，ALD阀加热温度RT-200℃可控。 ALD阀更小脉冲时间~10 mesh。
	6．载气系统 N2或者Ar，须配备流量计，流量控制0-500sccm
	7．配备等离子体(ICP)系统 电感耦合ICP等离子体系统，位于腔体正上方，等离子体开关在控制界面内设置。等离子体气源：提供3路可用于等离子体工艺的气路，包含ALD 专用隔膜阀，手动截止阀和质量流量控制器。射频电源频率13.56 MHZ，功率0-500 W可调，功率不稳定度小于等于2W，自动匹配调节，配备自动匹配器，匹配精度不大于5 秒。
	8．真空规 宽范围真空规测量范围10E-4Torr~10E+3Torr，备用真空规一个用于校验真空。
	9．排气管路 排气管路加热温度RT-150℃可控；配置截止阀一个，加热温度RT-150℃可控。真空泵配置前级热阱，更高加热温度可达到300℃，温度控制精度为±1℃。
	10．控制硬件 采用PLC+PC控制系统，保证设备长时间稳定运行；硬件控制系统须具备1 毫秒前驱体脉冲时间的精确分辨控制能力，每一前驱体脉冲时间所对应的压强值必须能重复在同一个水平上，保证进入反应腔的前驱体的量精确可控。
	11．控制软件 Windows下的专用全自动控制软件, 全自动控制加热、流量、等全部沉积过程，以及温度、压强等实时监控。全部沉积过程(从开始到结束，包括突发的停机)的参数实时全部记录，自动生成日志文件，都可以事后回放，每个脉冲曲线都可以显示回放
	12．粉体样品夹具 用于沉积1~1000 μm的粉体样品, 一套4个；样品池尺寸Ф30mmX1.5mm
	13臭氧发生器 配备臭氧发生器(韩国进口)、裂解器（臭氧破坏器）、控制臭氧的质量流量控制器(量程为0-200 scams)，臭氧源系统集成在机柜中；臭氧发生器产量20 g/h，浓度更高可达100 g/m；臭氧发生器采用风冷方式无需配备冷却水。
	14．真空机械泵系统 采用惰性泵油的机械泵系统，抽速40m3/h(10L/s)，品牌Edwards
	15. 验收指标 厂家须提供标准的工艺配方，在满足第14条工艺要求的同时，按以下内容现场制备与验收： Al2O3 均匀性 ≤+/−1%； 在4-6英寸晶圆上沉积100nm，取5个不同点（上、下、左、右、中心）进行测试，计算厚度标准偏差。 在保证以上薄膜质量的前提下，前驱体TMA的脉冲时间不得超过 0.02秒 测量方法：椭偏仪
四．安装培训：	厂家工程师现场进行安装与培训，包括操作，维护及安全使用等，确保人员熟练使用
	主机       数量1套        标准6英寸原子层沉积系统 包括： 2 路前驱体源, 包括管路、高温ALD阀门、50ml 源瓶，1路为加热源，1路为常温源 沉积自动控制系统, ALDT沉积程序控制软件, 预装Windows 的品牌笔记本电脑,（14英寸笔记本电脑（i7-8550U 8G 256GSSD+1T 2G独显 FHD）
	选配前驱体源 4套：包括管路、加热套、高温ALD 阀门、50ml 源瓶（更高可配6路前驱体）
	臭氧发生器系统 1套：韩国进口高浓度臭氧发生器，包括管路，裂解器附件更高产量20g/h，更大浓度8%(w/w)
	粉体样品夹具1套：用于沉积1~1000 μm 的粉体样品, 一套4个样品池尺寸Ф30mmX1.5mm
	ICP等离子体系统 1套：ICP等离子体源系统； 包括： ICP源0~500W可调；自动匹配器； 等离子体发生器； 3路等离子体源, 配备质量流量计(MFC)，一路为Ar，其他H2,O2, N2, NH3,H2S等气体可选
	气路连接配件1套，氧气/氮气的减压阀、管路、接头等连接附件，用于以上气体的使用
	备用真空规 1个：用于校准和更换
	真空机械泵系统1套：机械泵与相关管路 真空机械泵型号：E2M40-F
	运输与保险: 运到用户指定地点
	3日现场安装与培训
五、技术指标	1 反应腔 316L不锈钢。可以生长更大6 英寸样品的腔体，氮气保护的双O-Ring 高温密封系统，有效隔绝其他气体渗漏。基底加热温度RT-400℃可控，控制精度±1℃。腔体烘烤温度RT-200℃可控，控制精度±1℃。 反应腔内具有可拆卸更换挡版以方便维护。 反应腔采用专业级喷淋淋浴式前驱体匀气装置设计，可是前驱体充分、均匀的扩散，保证工艺的均匀性。 反应腔体及真空腔体的密封盖的上方是ICP等离子体发生腔，投标货物中腔体采用侧面进样，且接口为标准法兰，可直接配备插板阀以及手套箱。
	2  沉积模式 包括至少以下2种工作模式：高速沉积的连续模式，沉积超高宽深比结构的停流模式，实现氧化物精确比例掺杂沉积的专业沉积模式。
	3     前驱体源：共6路前驱体源；1路为常温源，5路为加热源，加热温度RT-200℃可控，控制精度±1℃；加热源配备高温手动阀；标准前驱体源瓶体积50cc。 1路为常温源可接水/臭氧/氧气/氨气/H2S源等，制备氧化物，氮化物和硫化物。 任意一路加热源可接相关前驱体源。0cc。
	4．  前驱体管路 所有前驱体管路须全部采用进口316L不锈钢EP级管路，所有管路加热温度RT-200℃可控。
	5 ALD阀 每一路前驱体配置一个原子层沉积专用高速高温ALD阀(Swagelok进口)，ALD阀加热温度RT-200℃可控。 ALD阀更小脉冲时间~10 mesh。
	6     真空规    宽范围真 空规，测量范围2x10-4 to 10+3 torr.
	7 排气管路 排气管路加热温度RT-150℃可控；配置截止阀一个，加热温度RT-150℃可控。真空泵配置前级热阱，更高加热温度可达到300℃，温度控制精度为±1℃。
	8 臭氧发生器 配备臭氧发生器(韩国进口)、臭氧破坏器、控制臭氧的质量流量控制器(量程为0-200 scams)，臭氧源系统集成在机柜中；臭氧发生器产量20 g/h，浓度更高可达100 g/m；臭氧发生器采用风冷方式无需配备冷却水。
	7．配备等离子体(ICP)系统 电感耦合ICP等离子体系统，位于腔体正上方，等离子体开关在控制界面内设置。等离子体气源：提供3路可用于等离子体工艺的气路，包含ALD 专用隔膜阀，手动截止阀和质量流量控制器。射频电源频率13.56 MHZ，功率0-500 W可调，功率不稳定度小于等于2W，自动匹配调节，配备自动匹配器，匹配精度不大于5 秒。
	10    控制硬件       PLC控制系统。
	11    控制软件       ALD 专用软件全自动控制加热、流量、等全部沉积过程，以及温度、压强等实时监控。
	12    真空机械泵    爱德华进口机械泵
	13    安装培训       工程师现场安装培训。
	14    保修       3年免费保修，自验收之日起。