PICOSUN® R-200 高级 ALD 系统适用于数十种应用的研发，例如 IC 组件、MEMS 设备、显示器、LED、激光器和 3D 物体（如镜片、光学器件、珠宝、硬币和医疗植入物）。
技术特点
图标-1-3
典型的基板尺寸和类型
50-200 mm 单晶片
156 mm x 156 mm 太阳能硅晶片
3D 对象
粉末和颗粒
小批量
多孔、通孔和高纵横比（高达 1:2500）
加工温度和容量
50 – 500°C，等离子 450°C（650°C，可根据要求提供加热卡盘）
典型工艺
Al 2 O 3、TiO 2、SiO 2、Ta 2 O 5、HfO 2、ZnO、ZrO 2、AlN、TiN、Pt或Ir等金属
图标产品起重机钩
基板装载
使用气动升降机手动装载
带磁性机械臂的负载锁
带搬运机器人的半自动装载
使用集群工具进行磁带到磁带的加载
前体
液体、固体、气体、臭氧、等离子(*)
多达 12 个源，带 6 个独立入口（如果选择等离子选项，则为 7 个）
图标产品齿轮
选项
集群工具、Picoflow™ 扩散增强器、卷对卷室、RGA、UHV 兼容性、N2 发生器、气体洗涤器、定制设计、用于惰性装载的手套箱集成
PICOSUN® R-200 高级 ALD 系统是高级 ALD 研究工具的全球市场领导者，拥有数百个客户安装。它已成为创新驱动的公司和研究机构的首选工具。
灵活的设计可实现很高质量的 ALD 薄膜沉积以及很终的系统灵活性，以适应未来的需求和应用。获得 的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒处理，适用于晶圆、3D 物体和所有纳米级特征上的各种材料。得益于我们专有的 Picoflow™ 技术，即使在很具挑战性的通孔、超高纵横比和纳米颗粒样品上也能实现出色的均匀性。PICOSUN® R-200 Advanced 系统配备功能强大且易于更换的液态、气态和固态化学品前体源。高效且获得 的远程等离子选项可在没有短路或等离子损坏风险的情况下沉积金属。与手套箱、特高压系统、
(*) 等离子发生器技术特点：
远程等离子源安装到装载室并连接到反应室
蓝宝石涂抹器适用于不同的化学物质，具有卓越的粒子性能
商用微波等离子体发生器，功率可调 300 – 3000 W，频率 2.45 GHz
中间空间中的保护气体流动（等离子体物质无反向扩散）
在同一沉积运行期间进行等离子体和热 ALD 循环的可能性，无需对系统进行硬件更改
以下相关标准用于评估电源的合规性：DIN EN ISO 12100:2011-03、DIN EN 60204-1:2007-06、DIN EN 61000-6-2:2006-03、DIN EN 61000-6 -4:2011-09
电源的开发和制造符合 SEMI S2-0310 中规定的要求
